作者/编辑：上方文Q
不同于 CPU 处理器等逻辑芯片的制造工艺都精确到具体数值，闪存、内存工艺一直都是很模糊的叫法，比如 10nm-class (10nm 级别)，只是介于 20nm 和 10nm 之间，然后又分为 1xnm、1ynm、1znm 等不同版本，越来越先进，越来越接近真正的 10nm。
随着先进半导体工艺难度的急剧上升，Intel 这样的巨头都开始吃不消，在工艺上一贯精打细算的闪存内存厂商也走出了一条新路，比如美光。
相比三星、SK 海力士，美光虽然也是 DRAM 内存巨头之一，但工艺一直不算很先进，10nm 级上更是玩出了花活，挤牙膏手法之新颖让 Intel 都会自叹弗如。
美光早已有了成熟的第一代 10nm 级工艺也就是 1xnm，目前正在扩大产能的是第二代 1ynm，生产对象有 12Gb LPDDR4X、16Gb DDR4 颗粒等。
当前美光正在与客户验证第三代 1znm，预计很快就会官宣，并在 2020 财年(今年 9 月开始)投入量产，据称会主要用来生产 16Gb LPDDR5、DDR5 颗粒。
按照 DRAM 内存行业以往的惯例，接下来就要超越 10nm 级工艺了，但想进入个位数时代实在太难，美光计划在 1nm 级上多呆几年，并准备了至少三种新的 10nm 级工艺：1αnm、1βnm、1γnm——没错，都用上希腊字母了。
如此一来，美光将会有多达六种 10nm 级工艺，有调研机构称美光其实还有个升级版的 1xsnm，但没有得到官方确认，如果属实将有七种，切不排除未来增加更多版本。
1αnm、1βnm、1γnm 当然会一个比一个更先进，一个比一个更逼近 10nm，不过具体细节美光暂未披露，只是说会在1βnm、1γnm 阶段会用上沉浸式四重曝光技术，比现在的双重曝光、三重曝光更复杂。
同时，美光还在评估 EUV 极紫外光刻技术，预计届时只需双重曝光，可大大降低工艺复杂度，但具体什么时候、在哪代工艺上使用，美光还没有做出决定。
美光估计，DRAM 内存生产中每一个 EUV 层需要 1.5-2 套 EUV 光刻机，月产能可达 10 万片晶圆，CPU 等逻辑芯片则需要一个 EUV 层对应一台 EUV 光刻机，月产能也仅有 4.5 万片晶圆。
目前，台积电、三星已经开始在 7nm 工艺升级版上部分引入 EUV，接下来的 5nm 上会全面部署，DRAM 内存行业显然不会那么快。
另外，台北电脑展上我们已经见到威刚、英睿达(美光消费级品牌)展示单条 32GB DDR4 UDIMM 消费级内存条，使用的都是美光最新的 1ynm 16Gb DDR4 颗粒。
美光透露，还会用这种颗粒制造单条 64GB 容量的 RDIMM 服务器内存。
来自:
快科技
