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ASML研发第二代EUV光刻机:性能提升70% 2025年问世

  作者/编辑:宪 瑞

  半导体制造过程中最复杂也是最难的步骤就是光刻,成本能占到整个生产过程的1/3,光刻机也因此成为最重要的半导体制造装备,没有之一。目前最先进的光刻机是荷兰 ASML 公司生产的 EUV 光刻机,每台售价超过 1 亿美元,而且供不应求。

  2019 年,台积电、三星都会开始量产 7nm EUV 工艺,现有的 EUV 光刻机也差不多成熟了,虽然产量比起传统的 DUV 光刻机还有所不如,不过已经能够稳定量产了,7nm 及明年的 5nm 节点上 EUV 光刻机都会是重点。

  EUV 光刻机未来还能怎么发展?2016 年 ASML 公司宣布斥资 20 亿美元收购德国蔡司公司 25% 的股份,并投资数亿美元合作研发新一代透镜,而 ASML 这么大手笔投资光学镜头公司就是为了研发新一代 EUV 光刻机。

  日前韩媒报道称,ASML 公司正积极投资研发下一代 EUV 光刻机,与现有的光刻机相比,二代 EUV 光刻机最大的变化就是 High NA(高数值孔径)透镜,通过提升透镜规格使得新一代光刻机的微缩分辨率、套准精度两大光刻机核心指标提升 70%,达到业界对几何式芯片微缩的要求。

  在这个问题上,ASML 去年 10 月份就宣布与 IMEC 比利时微电子中心合作研发新一代 EUV 光刻机,目标是将 NA 从 0.33 提升到 0.5 以上,而从光刻机的分辨率公式——光刻机分辨率=k1*λ/NA 中可以看出,NA 数字越大,光刻机分辨率越高,所以提高 NA 数值孔径是下一代 EUV 光刻机的关键,毕竟现在 EUV 极紫外光已经提升过一次了。

  之前 ASML 公布的新一代 EUV 光刻机的量产时间是 2024 年,不过最新报道称下一代 EUV 光刻机是 2025 年量产,这个时间上台积电、三星都已经量产 3nm 工艺了,甚至开始进军 2nm、1nm 节点了。

来自:
快科技

作者:Johnson
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