作者：懒猫
IT 之家 7 月 31 日消息据外媒 anandtech 报道，台积电（TSMC）目前已悄然推出 7nm 深紫外 DUV（N7）和 5nm 极紫外 EUV（N5）制造工艺的性能增强版本。该公司的 N7P 和 N5P 技术专为需要 7nm 设计运行更快或消耗电量更少的客户设计。
台积电全新 N7P 工艺采用与 N7 相同的设计规则，优化了前端（FEOL）和中端（MOL），可在相同功率下将性能提升7％，或者在相同的频率下降低 10％ 的功耗。
据悉，台积电最早于今年在日本举办的 VLSI 研讨会上透露相关信息，但并没有广泛宣传。N7P 采用经过验证的深紫外（DUV）光刻技术，与 N7 相比，没有改变晶体管密度。
而需要晶体管密度高出约 18% 至 20％ 的 TSMC 客户，预计将使用 N7+N6 工艺技术。其中，N6 工艺技术通过极紫外（EUV）光刻技术进行多层处理。
此外，台积电下一个具有显著密度、改进功耗和性能的主要节点是 N5（5nm），提供了一个名为 N5P 的性能增强版本。该技术采用 FEOL 和 MOL 优化功能，以便在相同功率下使芯片的运行速度提高7％，或在相同频率下将功耗降低 15％。
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